在海内外高水平大学或研究机构获得博士学位;具有国际高水平大学助理教授相当学术水平,或海内外龙头企业总工程师、副总工程师、技术总监等职位相当水平;能独立发展一个学术或工程技术方向,有潜力成长为学术或技术带头人;年龄一般在35周岁左右,特别优秀者可适当放宽;具有物理、材料、微电子、电气工程、化学等方向坚实的专业基础和较深的学术造诣,对宽禁带半导体材料与器件研究领域有足够的学科背景支持和较好的研究积累与想法,从事过交叉学科研究者优先考虑;有宽禁带半导体材料与器件领域院士或国际知名专家推荐者优先考虑。
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