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博士后-宽禁带半导体材料与设备模拟计算
面议
浙江-
博士
1-2年
更新 2022-11-04 浏览 329
职位福利
  • 科研启动费
  • 提供住房公寓
职位详情
  • 不限到岗
  • 不限婚况

宽禁带半导体材料与设备模拟计算
方向1:碳化硅单晶生长过程计算碳化硅生长过程中热场，电磁场，流场以及化学反应的模拟计算;
方向2:碳化硅外延生长过程计算碳化硅外延生长过程中流场、热场，外延生长速率及化学反应的模拟计算;
方向3:碳化硅材料分子尺度计算( KMC, MD )碳化硅晶体生长过程中晶核分布和结晶方向等微观尺度模拟计算。

公司信息
浙江大学杭州国际科创中心
· 公立·国有 · 自然与应用科研机构.事业单位类型
浙江杭州萧山区经济技术开发区建设三路733号
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