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博士后-半导体材料单晶生长工艺开发
面议
浙江-
博士
1-2年
更新 2023-01-17 浏览 352
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  • 不限到岗
  • 不限婚况

应聘材料:
1.个人简历;
2.表明研究能力和学术水平的成果(如:获奖情况、鉴定、项目、学术论文等)及佐证材料;
3.博士学位论文。

待遇及保障条件:
1.根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬(含地方政府人才补助),具体面议(应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元);
2.对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的,杭州市、萧山区分别给予相应配套资助;
3.提供一流的实验与科学研究条件;
4.协助申请杭州市、萧山区人才配套用房;
5.工作期间表现优秀、业绩突出者,如符合相应要求,可优先推荐申请科创中心 求是科创学者 岗位或技术开发岗位;
6.在站期间,符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务;出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称,并可获得地方政府80万人才补贴。

公司信息
浙江大学杭州国际科创中心
· 公立·国有 · 自然与应用科研机构.事业单位类型
浙江杭州萧山区经济技术开发区建设三路733号
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